Предзаказ
Описание
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
|Vds| - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs| - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)| - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id| - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg - Общий заряд затвора: 145 nC
tr - Время нарастания: 200 ns
Coss - Выходная емкость: 1250 pf
Rds - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
Тип корпуса: TO263
Отзывы
