Предзаказ
Описание
FGH40N60UFDTU, Транзистор IGBT Field Stop 600В 80А 290Вт [TO-247]
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
Технические параметры
| Технология/семейство | Field Stop |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 120 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 290 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 24 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 112 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | TO-247 |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
FGH40N60UFD
pdf, 673 КБ
FGH40N60UFD_D
pdf, 534 КБ
Отзывы
